Selección de dispositivos MOSFET para considerar todos os aspectos dos factores, desde pequeno a elixir tipo N ou tipo P, tipo de paquete, voltaxe grande ata MOSFET, resistencia, etc., os diferentes requisitos de aplicación varían.O seguinte artigo resume a selección do dispositivo MOSFET das 3 regras principais, creo que despois de ler terás moito.
1. Paso 1 de selección de MOSFET de potencia: tubo P ou tubo N?
Hai dous tipos de MOSFET de potencia: N-channel e P-channel, no proceso de deseño do sistema para seleccionar o tubo N ou P-tube, para a aplicación real específica para escoller, MOSFET de canle N para escoller o modelo, baixo coste;MOSFET de canle P para escoller o modelo menos, alto custo.
Se a tensión na conexión do polo S do MOSFET de potencia non é a terra de referencia do sistema, a canle N require unha unidade de fonte de alimentación de terra flotante, unidade de transformador ou unidade de arranque, complexo de circuíto de unidade;A canle P pódese dirixir directamente, conducir de forma sinxela.
Debe ter en conta as aplicacións de canle N e canle P son principalmente
a.Ordenadores portátiles, escritorios e servidores utilizados para dar a CPU e ventilador de refrixeración do sistema, unidade de motor do sistema de alimentación da impresora, aspiradoras, purificadores de aire, ventiladores eléctricos e outros circuítos de control de motores de electrodomésticos, estes sistemas usan unha estrutura de circuíto de ponte completa, cada brazo de ponte no tubo pode usar P-tube, tamén pode usar N-tube.
b.Sistema de comunicación Sistema de entrada de 48 V de MOSFET de conexión en quente colocados no extremo superior, pode usar tubos P, tamén pode usar tubos N.
c.O circuíto de entrada do ordenador portátil en serie, desempeña o papel de conexión anti-reversa e conmutación de carga dous MOSFET de potencia consecutivos, o uso da canle N debe controlar a bomba de carga da unidade integrada interna do chip, o uso da canle P pode ser conducido directamente.
2. Selección do tipo de paquete
Poder tipo de canle MOSFET para determinar o segundo paso para determinar o paquete, os principios de selección do paquete son.
a.O aumento da temperatura e o deseño térmico son os requisitos máis básicos para seleccionar o paquete
Os diferentes tamaños de paquete teñen diferentes resistencias térmicas e disipación de enerxía, ademais de ter en conta as condicións térmicas do sistema e a temperatura ambiente, como se hai arrefriamento por aire, restricións de tamaño e forma do disipador de calor, se o ambiente está pechado e outros factores. O principio básico é garantir o aumento da temperatura do MOSFET de potencia e da eficiencia do sistema, a premisa de seleccionar parámetros e paquete MOSFET de potencia máis xeral.
Ás veces, debido a outras condicións, a necesidade de usar varios MOSFET en paralelo para resolver o problema da disipación de calor, como en aplicacións PFC, controladores de motores de vehículos eléctricos, sistemas de comunicacións, como as aplicacións de rectificación síncrona secundaria da fonte de alimentación do módulo, son seleccionadas en paralelo a varios tubos.
Se non se pode usar a conexión paralela multitubo, ademais de seleccionar un MOSFET de potencia con mellor rendemento, tamén se pode usar un paquete de maior tamaño ou un novo tipo de paquete, por exemplo, nalgunhas fontes de alimentación AC/DC TO220 cambiarse ao paquete TO247;nalgunhas fontes de alimentación do sistema de comunicación, utilízase o novo paquete DFN8*8.
b.Limitación de tamaño do sistema
Algúns sistemas electrónicos están limitados polo tamaño do PCB e a altura do interior, como a fonte de alimentación do módulo dos sistemas de comunicación debido á altura das restricións normalmente usan o paquete DFN5 * 6, DFN3 * 3;nalgunha fonte de alimentación ACDC, o uso de deseño ultrafino ou debido ás limitacións do shell, montaxe TO220 paquete MOSFET de potencia directamente na raíz, a altura das restricións non pode usar o paquete TO247.
Algúns deseños ultrafinos dobran directamente os pinos do dispositivo planos, este proceso de produción de deseño farase complexo.
No deseño da placa de protección da batería de litio de gran capacidade, debido ás restricións de tamaño extremadamente duras, a maioría agora usa o paquete CSP a nivel de chip para mellorar o rendemento térmico tanto como sexa posible, garantindo o menor tamaño.
c.Control de custos
A principios de moitos sistemas electrónicos que usan paquete plug-in, estes anos debido ao aumento dos custos laborais, moitas empresas comezaron a cambiar ao paquete SMD, aínda que o custo de soldadura de SMD que plug-in alto, pero o alto grao de automatización da soldadura SMD, o O custo global aínda se pode controlar nun rango razoable.Nalgunhas aplicacións, como placas base de escritorio e placas que son moi sensibles ao custo, os MOSFET de potencia dos paquetes DPAK adoitan usarse debido ao baixo custo deste paquete.
Polo tanto, na selección do paquete MOSFET de potencia, para combinar o estilo da súa propia empresa e as características do produto, tendo en conta os factores anteriores.
3. Seleccione a resistencia de estado RDSON, nota: non actual
Moitas veces os enxeñeiros están preocupados polo RDSON, porque a RDSON e a perda de condución están directamente relacionadas, canto menor sexa o RDSON, menor será a perda de condución do MOSFET de potencia, canto maior sexa a eficiencia, menor será o aumento da temperatura.
Do mesmo xeito, os enxeñeiros na medida do posible seguir o proxecto anterior ou os compoñentes existentes na biblioteca de materiais, para o RDSON do método de selección real non ten moito que considerar.Cando o aumento da temperatura do MOSFET de potencia seleccionado é demasiado baixo, por razóns de custo, cambiará a compoñentes RDSON máis grandes;Cando o aumento da temperatura do MOSFET de potencia é demasiado alto, a eficiencia do sistema é baixa, cambiará a compoñentes RDSON máis pequenos, ou optimizando o circuíto da unidade externa, mellorará a forma de axustar a disipación de calor, etc.
Se é un proxecto novo, non hai ningún proxecto anterior a seguir, entón como seleccionar o MOSFET RDSON de potencia? Aquí tes un método para presentarche: método de distribución de consumo de enerxía.
Ao deseñar un sistema de alimentación, as condicións coñecidas son: rango de tensión de entrada, tensión de saída / corrente de saída, eficiencia, frecuencia de funcionamento, tensión de unidade, por suposto, hai outros indicadores técnicos e MOSFET de potencia relacionados principalmente con estes parámetros.Os pasos son os seguintes.
a.Segundo o rango de tensión de entrada, a tensión de saída / corrente de saída, a eficiencia, calcula a perda máxima do sistema.
b.Perdas espurias do circuíto de enerxía, perdas estáticas de compoñentes non de potencia, perdas estáticas de IC e perdas de unidade, para facer unha estimación aproximada, o valor empírico pode representar entre o 10% e o 15% das perdas totais.
Se o circuíto de potencia ten unha resistencia de mostraxe de corrente, calcule o consumo de enerxía da resistencia de mostraxe de corrente.Perda total menos estas perdas anteriores, a parte restante é o dispositivo de potencia, o transformador ou a perda de potencia do indutor.
A perda de enerxía restante asignarase ao dispositivo de potencia e ao transformador ou indutor nunha determinada proporción e, se non está seguro, a distribución media polo número de compoñentes, para que obteña a perda de potencia de cada MOSFET.
c.A perda de potencia do MOSFET atribúese á perda de conmutación e á perda de condución nunha determinada proporción e, se é incerta, a perda de conmutación e a perda de condución atribúense por igual.
d.Mediante a perda de condución do MOSFET e a corrente RMS que flúe, calcule a resistencia de condución máxima permitida, esta resistencia é o MOSFET á máxima temperatura de unión de funcionamento RDSON.
Folla de datos no poder MOSFET RDSON marcado cunhas condicións de proba definidas, en diferentes condicións definidas teñen diferentes valores, a temperatura de proba: TJ = 25 ℃, RDSON ten un coeficiente de temperatura positivo, polo que de acordo coa temperatura de unión de funcionamento máis alta do MOSFET e Coeficiente de temperatura RDSON, a partir do valor calculado RDSON anterior, para obter o RDSON correspondente a 25 ℃ de temperatura.
e.RDSON a partir de 25 ℃ para seleccionar o tipo apropiado de MOSFET de potencia, segundo os parámetros reais do MOSFET RDSON, abaixo ou arriba.
A través dos pasos anteriores, a selección preliminar do modelo MOSFET de potencia e os parámetros RDSON.
Este artigo está extraído da rede, póñase en contacto connosco para eliminar a infracción, grazas!
Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. está a fabricar e exportar varias pequenas máquinas de selección e colocación desde 2010. Aproveitando a nosa propia I+D con experiencia e unha produción ben adestrada, NeoDen gaña unha gran reputación entre os clientes mundiais.
Con presenza global en máis de 130 países, o excelente rendemento, a alta precisión e fiabilidade das máquinas NeoDen PNP fanas perfectas para I+D, prototipado profesional e produción de lotes pequenos e medianos.Ofrecemos unha solución profesional de equipos SMT únicos.
Engadir: No.18, Tianzihu Avenue, Tianzihu Town, Anji County, Huzhou City, Zhejiang Province, China
Teléfono: 86-571-26266266
Hora de publicación: 19-Abr-2022